3 inča 76,2 mm 4H-Semi SiC podloga za podlogu Silicon Carbide Polu-insulting SiC wafer

3 inča 76,2 mm 4H-Semi SiC podloga za podlogu Silicon Carbide Polu-pogrešne SiC pločice Istaknuta slika

Kratak opis:

Visokokvalitetna monokristalna SiC pločica (silicijum karbid) za elektronsku i optoelektronsku industriju. SiC pločica od 3 inča je poluvodički materijal sljedeće generacije, poluizolirajuće pločice od silicijum-karbida prečnika 3 inča. Oblasti su namijenjene za proizvodnju energetskih, RF i optoelektronskih uređaja.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Specifikacija proizvoda

3-inčne 4H poluizolirane SiC (silicijum karbidne) podloge su najčešće korišteni poluvodički materijal. 4H označava tetraheksaedarsku kristalnu strukturu. Poluizolacija znači da podloga ima visoke karakteristike otpornosti i može biti donekle izolirana od strujnog toka.

Takve podloge imaju sljedeće karakteristike: visoku toplotnu provodljivost, mali gubitak provodljivosti, odličnu otpornost na visoke temperature i odličnu mehaničku i hemijsku stabilnost. Budući da silicijum karbid ima širok energetski jaz i može da izdrži visoke temperature i uslove visokog električnog polja, 4H-SiC poluizolovane pločice se široko koriste u energetskoj elektronici i radio frekvencijskim (RF) uređajima.

Glavne primjene 4H-SiC poluizoliranih pločica uključuju:

1 – Energetska elektronika: 4H-SiC pločice se mogu koristiti za proizvodnju uređaja za prebacivanje snage kao što su MOSFET (metalni oksid poluvodički tranzistori sa efektom polja), IGBT (bipolarni tranzistori sa izolovanim vratima) i Schottky diode. Ovi uređaji imaju manje provodljive i komutacione gubitke u okruženjima visokog napona i visoke temperature i nude veću efikasnost i pouzdanost.

2-Radio frekvencijski (RF) uređaji: 4H-SiC poluizolovane pločice mogu se koristiti za proizvodnju RF pojačala velike snage, visoke frekvencije, otpornika za čipove, filtera i drugih uređaja. Silicijum karbid ima bolje performanse na visokim frekvencijama i termičku stabilnost zbog veće stope drifta zasićenja elektrona i veće toplotne provodljivosti.

3--Optoelektronski uređaji: 4H-SiC poluizolovane pločice mogu se koristiti za proizvodnju laserskih dioda velike snage, detektora UV svjetla i optoelektronskih integriranih kola.

U smislu tržišnog smjera, potražnja za 4H-SiC poluizoliranim pločicama raste s rastućim poljima energetske elektronike, RF i optoelektronike. To je zbog činjenice da silicijum karbid ima širok spektar primena, uključujući energetsku efikasnost, električna vozila, obnovljivu energiju i komunikacije. U budućnosti, tržište 4H-SiC poluizolovanih pločica ostaje vrlo obećavajuće i očekuje se da će zamijeniti konvencionalne silikonske materijale u različitim primjenama.