4 inča Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Prijave
● Supstrat za rast za jedinjenja III-V i II-VI.
● Elektronika i optoelektronika.
● IR aplikacije.
● Integrisano kolo od silikona na safiru (SOS).
● Integrisano kolo radio frekvencije (RFIC).
U proizvodnji LED dioda, safirne pločice se koriste kao supstrat za rast kristala galijum nitrida (GaN), koji emituju svjetlost kada se primjenjuje električna struja.Safir je idealan materijal supstrata za rast GaN jer ima sličnu kristalnu strukturu i koeficijent termičkog širenja kao GaN, što minimizira defekte i poboljšava kvalitet kristala.
U optici, safirne pločice se koriste kao prozori i sočiva u okruženjima visokog pritiska i visoke temperature, kao i u infracrvenim sistemima za snimanje, zbog svoje velike transparentnosti i tvrdoće.
Specifikacija
| Stavka | 4-inčni C-ravni (0001) 650μm safirne pločice | |
| Crystal Materials | 99,999%, visoke čistoće, monokristalni Al2O3 | |
| Ocjena | Prime, Epi-Spreman | |
| Orijentacija površine | C-ravnina (0001) | |
| Ugao C-ravnine prema M-osi 0,2 +/- 0,1° | ||
| Prečnik | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Debljina | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primarna ravna orijentacija | A-ravnina (11-20) +/- 0,2° | |
| Primarna ravna dužina | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Single Side Polished | Front Surface | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (po AFM) |
| (SSP) | Back Surface | Fino mljeveno, Ra = 0,8 μm do 1,2 μm |
| Double Side Polished | Front Surface | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (po AFM) |
| (DSP) | Back Surface | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (po AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| LUK | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Čišćenje / Pakovanje | Čišćenje čistih prostorija klase 100 i vakuumsko pakovanje, | |
| 25 komada u pakovanju od jedne kasete ili pakovanju u jednom komadu. | ||
Pakovanje i dostava
Uopšteno govoreći, mi nudimo paket od 25 komada kaseta;također možemo upakirati u jedan kontejner za vafle ispod sobe za čišćenje 100 razreda prema zahtjevu klijenta.
Detaljan dijagram
