4-inčna safirna pločica C-ravni SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Aplikacije
● Supstrat za rast III-V i II-VI jedinjenja.
● Elektronika i optoelektronika.
● IR aplikacije.
● Integrisano kolo od silicija na safiru (SOS).
● Integrisano kolo radio frekvencije (RFIC).
U proizvodnji LED dioda, safirne pločice se koriste kao supstrat za rast kristala galij-nitrida (GaN), koji emituju svjetlost kada se primijeni električna struja. Safir je idealan materijal za supstrat za rast GaN jer ima sličnu kristalnu strukturu i koeficijent termičkog širenja kao GaN, što minimizira defekte i poboljšava kvalitet kristala.
U optici, safirne pločice se koriste kao prozori i sočiva u okruženjima visokog pritiska i visoke temperature, kao i u sistemima infracrvenog snimanja, zbog svoje visoke prozirnosti i tvrdoće.
Specifikacija
| Stavka | 4-inčne C-ravnine (0001) 650μm safirne pločice | |
| Kristalni materijali | 99,999%, visoka čistoća, monokristalni Al2O3 | |
| Ocjena | Prime, Epi-Ready | |
| Orijentacija površine | C-ravan(0001) | |
| Vanjski ugao C-ravni prema M-osi 0,2 +/- 0,1° | ||
| Prečnik | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Debljina | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primarna orijentacija stana | A-ravan (11-20) +/- 0,2° | |
| Primarna dužina ravne površine | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Polirano s jedne strane | Prednja površina | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (AFM metodom) |
| (SSP) | Zadnja površina | Fino brušeno, Ra = 0,8 μm do 1,2 μm |
| Dvostrano polirano | Prednja površina | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (AFM metodom) |
| (DSP) | Zadnja površina | Epi-polirano, Ra < 0,2 nm (AFM metodom) |
| TTV | < 20 μm | |
| LUK | < 20 μm | |
| DEFORMACIJA | < 20 μm | |
| Čišćenje / Pakovanje | Čišćenje čistih soba klase 100 i vakuumsko pakovanje, | |
| 25 komada u jednom kasetnom pakovanju ili pojedinačnom pakovanju. | ||
Pakovanje i dostava
Generalno govoreći, isporučujemo pakovanje u kasetama od 25 komada; također možemo pakovati u pojedinačne kontejnere za pločice u prostoriji za čišćenje razreda 100 prema zahtjevima klijenta.
Detaljan dijagram
