8-inčni 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive Dummy istraživačka klasa

Kratki opis:

Kako se transportna, energetska i industrijska tržišta razvijaju, potražnja za pouzdanom energetskom elektronikom visokih performansi nastavlja rasti.Kako bi zadovoljili potrebe za poboljšanim performansama poluvodiča, proizvođači uređaja traže poluvodičke materijale sa širokim razmakom, kao što je naš 4H SiC Prime Grade portfelj 4H n-tip pločica od silicijum karbida (SiC).


Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Zbog svojih jedinstvenih fizičkih i elektronskih svojstava, 200mm SiC wafer poluvodički materijal se koristi za stvaranje elektronskih uređaja visokih performansi, visokih temperatura, otpornih na zračenje i visoke frekvencije.Cijena 8-inčnog SiC supstrata postepeno se smanjuje kako tehnologija postaje naprednija i potražnja raste.Nedavni tehnološki razvoj doveo je do proizvodnje 200 mm SiC pločica u skali proizvodnje.Glavne prednosti poluvodičkih materijala SiC pločica u odnosu na Si i GaAs pločice: Jačina električnog polja 4H-SiC tokom lavinskog sloma je više od reda veličine veća od odgovarajućih vrijednosti za Si i GaAs.Ovo dovodi do značajnog smanjenja otpornosti uključenog stanja Ron.Niska otpornost uključenog stanja, u kombinaciji sa visokom gustinom struje i toplotnom provodljivošću, omogućava upotrebu vrlo malih matrica za energetske uređaje.Visoka toplotna provodljivost SiC smanjuje toplotnu otpornost čipa.Elektronska svojstva uređaja na bazi SiC pločica su vrlo stabilna tokom vremena i na temperaturu, što osigurava visoku pouzdanost proizvoda.Silicijum karbid je izuzetno otporan na tvrdo zračenje, koje ne degradira elektronska svojstva čipa.Visoka granična radna temperatura kristala (više od 6000C) omogućava vam da kreirate visokopouzdane uređaje za teške uslove rada i posebne primene.Trenutno možemo da isporučujemo male serije 200mmSiC pločica stalno i kontinuirano i imamo nešto zaliha u skladištu.

Specifikacija

Broj Stavka Jedinica Proizvodnja Istraživanja Dummy
1. Parametri
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 površinska orijentacija ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Električni parametar
2.1 dopant -- n-tip dušika n-tip dušika n-tip dušika
2.2 otpornost ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Mehanički parametar
3.1 prečnika mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 debljina μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orijentacija zareza ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Dubina zareza mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Luk μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4. Struktura
4.1 gustina mikro cevi ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 sadržaj metala atoma/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Pozitivan kvalitet
5.1 front -- Si Si Si
5.2 završna obrada površine -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 čestica ea/wafer ≤100 (veličina≥0,3 μm) NA NA
5.4 ogrebotina ea/wafer ≤5, Ukupna dužina≤200mm NA NA
5.5 Edge
strugotine/udubljenja/pukotine/mrlje/kontaminacija
-- Nema Nema NA
5.6 Politipske oblasti -- Nema Površina ≤10% Površina ≤30%
5.7 prednje oznake -- Nema Nema Nema
6. Kvalitet leđa
6.1 zadnji završetak -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 ogrebotina mm NA NA NA
6.3 Stražnji defekt rub
čips/udubljenja
-- Nema Nema NA
6.4 Hrapavost leđa nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Označavanje leđa -- Zarez Zarez Zarez
7. Edge
7.1 rub -- Chamfer Chamfer Chamfer
8. Paket
8.1 pakovanje -- Epi-ready sa vakuumom
pakovanje
Epi-ready sa vakuumom
pakovanje
Epi-ready sa vakuumom
pakovanje
8.2 pakovanje -- Multi-wafer
kasetno pakovanje
Multi-wafer
kasetno pakovanje
Multi-wafer
kasetno pakovanje

Detaljan dijagram

8 inča SiC03
8 inča SiC4
8 inča SiC5
8 inča SiC6

  • Prethodno:
  • Sljedeći:

  • Ovdje napišite svoju poruku i pošaljite nam je