3 inča Dia76.2mm SiC supstrati HPSI Prime Research i Dummy grade

Provodljiva podloga: odnosi se na otpornost 15~30mΩ-cm podloge od silicijum karbida.Epitaksijalna pločica od silicijum karbida koja se uzgaja iz provodljive podloge od silicijum karbida može se dalje pretvoriti u uređaje za napajanje, koji se široko koriste u novim energetskim vozilima, fotonaponskim uređajima, pametnim mrežama i železničkom transportu.

Poluizolaciona podloga se odnosi na otpornost veću od 100000Ω-cm. Podloga od silicijum karbida, koja se uglavnom koristi u proizvodnji mikrotalasnih radiofrekventnih uređaja od galij nitrida, osnova je polja bežične komunikacije.

To je osnovna komponenta u području bežične komunikacije.

Provodljive i poluizolacione podloge od silicijum karbida koriste se u širokom spektru elektronskih uređaja i energetskih uređaja, uključujući, ali ne ograničavajući se na sledeće:

Poluvodički uređaji velike snage (provodljivi): Podloge od silicijum karbida imaju veliku jačinu polja i toplotnu provodljivost i pogodne su za proizvodnju tranzistora velike snage i dioda i drugih uređaja.

RF elektronski uređaji (poluizolovani): Podloge od silicijum karbida imaju visoku brzinu prebacivanja i toleranciju snage, pogodne za aplikacije kao što su RF pojačivači snage, mikrotalasni uređaji i visokofrekventni prekidači.

Optoelektronski uređaji (poluizolovani): Podloge od silicijum karbida imaju širok energetski jaz i visoku termičku stabilnost, pogodne za izradu fotodioda, solarnih ćelija i laserskih dioda i drugih uređaja.

Senzori temperature (provodljivi): Podloge od silicijum karbida imaju visoku toplotnu provodljivost i termičku stabilnost, pogodne za proizvodnju senzora visoke temperature i instrumenata za merenje temperature.

Proces proizvodnje i primjena provodljivih i poluizolacionih podloga od silicijum karbida ima širok spektar polja i potencijala, pružajući nove mogućnosti za razvoj elektronskih uređaja i energetskih uređaja.