English

2 inča 50,8 mm safirna ploča C-ravnina M-ravan R-ravnina A-ravan Debljina 350um 430um 500um

2 inča 50,8 mm safirna ploča C-ravnina M-ravan R-ravnina A-ravnina Debljina 350um 430um 500um Istaknuta slika
  • 2 inča 50,8 mm safirna ploča C-ravnina M-ravan R-ravnina A-ravan Debljina 350um 430um 500um
  • 2 inča 50,8 mm safirna ploča C-ravnina M-ravan R-ravnina A-ravan Debljina 350um 430um 500um
  • 2 inča 50,8 mm safirna ploča C-ravnina M-ravan R-ravnina A-ravan Debljina 350um 430um 500um

Kratki opis:

Safir je materijal jedinstvene kombinacije fizičkih, hemijskih i optičkih svojstava, koje ga čine otpornim na visoke temperature, termički udar, eroziju vode i pijeska i grebanje.


Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Specifikacija različitih orijentacija

Orijentacija

C(0001)-os

R(1-102)-os

M(10-10) -Osa

A(11-20)-os
Fizička svojina

C osa ima kristalno svjetlo, a ostale ose imaju negativno svjetlo.Ravan C je ravna, po mogućnosti isečena.

R-ravan malo tvrđi od A.

 M ravnina je stepenasto nazubljena, nije lako rezati, lako se rezati. Tvrdoća A-ravne je znatno veća od C-ravnine, što se očituje u otpornosti na habanje, otpornosti na ogrebotine i visokoj tvrdoći;Bočna A-ravnina je cik-cak ravan, koja se lako seče;
Prijave

C-orijentirani safirni supstrati se koriste za uzgoj III-V i II-VI deponiranih filmova, kao što je galijum nitrid, koji može proizvesti plave LED proizvode, laserske diode i aplikacije za infracrvene detektore.
To je uglavnom zato što je proces rasta safirnih kristala duž C-ose zreo, cijena je relativno niska, fizička i kemijska svojstva su stabilna, a tehnologija epitaksije na C-ravni je zrela i stabilna.

R-orijentisan rast supstrata različitih deponovanih silicijumskih ekstrasistala, koji se koriste u mikroelektroničkim integrisanim kolima.
Osim toga, brza integrirana kola i senzori tlaka također se mogu formirati u procesu proizvodnje filma epitaksijalnog rasta silicija.R-tip supstrat se takođe može koristiti u proizvodnji olova, drugih supravodljivih komponenti, otpornika visoke otpornosti, galijum arsenida.

 Uglavnom se koristi za uzgoj nepolarnih/semipolarnih GaN epitaksijalnih filmova za poboljšanje svjetlosne efikasnosti. A orijentisan na podlogu proizvodi ujednačenu permitivnost/medij, a visok stepen izolacije se koristi u tehnologiji hibridne mikroelektronike.Superprovodnici visoke temperature mogu se proizvesti od izduženih kristala na bazi A.
Kapacitet obrade Pattern Sapphire Supstrat (PSS) : U obliku rasta ili jetkanja, na safirnoj podlozi su dizajnirani i napravljeni obrasci pravilne mikrostrukture specifične na nanoskali kako bi se kontrolirao oblik izlaznog svjetla LED diode i smanjili diferencijalni defekti među GaN koji raste na safirnoj podlozi. , poboljšati kvalitet epitaksije i poboljšati unutrašnju kvantnu efikasnost LED-a i povećati efikasnost ekstrakcije svjetlosti.
Osim toga, safirna prizma, ogledalo, sočivo, rupa, konus i drugi strukturni dijelovi mogu se prilagoditi prema zahtjevima kupaca.

Izjava o imovini

 Gustina Tvrdoća tačka topljenja Indeks loma (vidljivi i infracrveni) Prenos (DSP) Dielektrična konstanta
3,98 g/cm3 9 (mohs) 2053℃ 1.762~1.770 ≥85% 11,58@300K na C osi (9,4 na A osi)

Detaljan dijagram

avcasvb (1)
avcasvb (2)
avcasvb (3)
  • Prethodno:
  • Sljedeći:
    • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je

    Kategorije proizvoda

    Pritisnite enter za pretragu ili ESC da zatvorite