2-inčne pločice od silicijum karbida 6H ili 4H N-tipa ili poluizolacijske SiC podloge
Preporučeni proizvodi
4H SiC pločica N-tipa
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: van ose 4,0˚ prema <1120> ± 0,5˚
Otpornost: < 0,1 ohm·cm
Hrapavost: Si-ploha CMP Ra <0,5 nm, C-ploha optičko poliranje Ra <1 nm
4H SiC pločica, poluizolacijska
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: na osi {0001} ± 0,25˚
Otpornost: >1E5 ohm·cm
Hrapavost: Si-ploha CMP Ra <0,5 nm, C-ploha optičko poliranje Ra <1 nm
1. 5G infrastruktura -- napajanje za komunikaciju
Komunikacijsko napajanje je energetska baza za komunikaciju servera i baznih stanica. Obezbjeđuje električnu energiju za različitu opremu za prijenos kako bi se osigurao normalan rad komunikacijskog sistema.
2. Punjač za vozila na novu energiju -- modul za napajanje punjenja
Visoka efikasnost i velika snaga modula za punjenje mogu se postići korištenjem silicijum karbida u modulu za punjenje, kako bi se poboljšala brzina punjenja i smanjili troškovi punjenja.
3. Veliki podatkovni centar, Industrijski internet -- napajanje servera
Napajanje servera je energetska biblioteka servera. Server obezbjeđuje napajanje kako bi se osigurao normalan rad serverskog sistema. Upotreba silicijum-karbidnih komponenti za napajanje u napajanju servera može poboljšati gustinu snage i efikasnost napajanja servera, smanjiti zapreminu data centra u cjelini, smanjiti ukupne troškove izgradnje data centra i postići veću ekološku efikasnost.
4. Uhv - Primjena fleksibilnih prijenosnih DC prekidača
5. Međugradska brza željeznica i međugradski željeznički tranzit -- vučni pretvarači, energetski elektronički transformatori, pomoćni pretvarači, pomoćni izvori napajanja
Specifikacija

Detaljan dijagram

