Galijev nitrid (GaN) epitaksijalno uzgojen na safirnim pločicama 4 inča 6 inča za MEMS
Svojstva GaN na safirnim pločicama
●Visoka efikasnost:Uređaji zasnovani na GaN daju pet puta više snage od uređaja zasnovanih na silikonu, poboljšavajući performanse u različitim elektronskim aplikacijama, uključujući RF pojačanje i optoelektroniku.
●Wide Bandgap:Široki pojas GaN-a omogućava visoku efikasnost na povišenim temperaturama, što ga čini idealnim za aplikacije velike snage i visoke frekvencije.
●Trajnost:Sposobnost GaN-a da podnese ekstremne uslove (visoke temperature i zračenje) osigurava dugotrajne performanse u teškim okruženjima.
●Mala veličina:GaN omogućava proizvodnju kompaktnijih i lakših uređaja u poređenju sa tradicionalnim poluvodičkim materijalima, olakšavajući manju i moćniju elektroniku.
Abstract
Galijum nitrid (GaN) se pojavljuje kao poluprovodnik izbora za napredne aplikacije koje zahtevaju veliku snagu i efikasnost, kao što su RF front-end moduli, sistemi velike brzine komunikacije i LED osvetljenje. GaN epitaksijalne pločice, kada se uzgajaju na safirnim podlogama, nude kombinaciju visoke toplotne provodljivosti, visokog napona proboja i širokog frekventnog odziva, koji su ključni za optimalne performanse bežičnih komunikacijskih uređaja, radara i ometača. Ove pločice su dostupne u promjerima od 4 inča i 6 inča, s različitim debljinama GaN kako bi se ispunili različiti tehnički zahtjevi. Jedinstvena svojstva GaN-a čine ga glavnim kandidatom za budućnost energetske elektronike.
Parametri proizvoda
| Karakteristika proizvoda | Specifikacija |
| Wafer Diameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Supstrat | Safir |
| GaN debljina sloja | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN tip/doping | N-tip (P-tip dostupan na zahtjev) |
| GaN Crystal Orientation | <0001> |
| Tip poliranja | Jednostrano polirano (SSP), Dvostrano polirano (DSP) |
| Al2O3 Debljina | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Varijacija ukupne debljine) | ≤ 10 μm |
| Naklon | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Površina | Korisna površina > 90% |
Pitanja i odgovori
P1: Koje su ključne prednosti upotrebe GaN u odnosu na tradicionalne poluprovodnike na bazi silicijuma?
A1: GaN nudi nekoliko značajnih prednosti u odnosu na silicijum, uključujući širi pojas, koji mu omogućava da podnese veće napone proboja i efikasno radi na višim temperaturama. To GaN čini idealnim za aplikacije velike snage i visoke frekvencije kao što su RF moduli, pojačala snage i LED diode. Sposobnost GaN-a da podnese veće gustine snage također omogućava manje i efikasnije uređaje u poređenju sa alternativama baziranim na silicijumu.
P2: Da li se GaN na safirnim pločicama mogu koristiti u MEMS (mikro-elektro-mehaničkim sistemima) aplikacijama?
A2: Da, GaN na Sapphire pločicama je pogodan za MEMS aplikacije, posebno tamo gdje su potrebna velika snaga, temperaturna stabilnost i niska razina buke. Izdržljivost i efikasnost materijala u visokofrekventnim okruženjima čine ga idealnim za MEMS uređaje koji se koriste u bežičnim komunikacijskim, senzorskim i radarskim sistemima.
P3: Koje su potencijalne primjene GaN-a u bežičnoj komunikaciji?
A3: GaN se široko koristi u RF front-end modulima za bežičnu komunikaciju, uključujući 5G infrastrukturu, radarske sisteme i ometače. Njegova velika gustina snage i toplotna provodljivost čine ga savršenim za uređaje velike snage i visoke frekvencije, omogućavajući bolje performanse i manje faktore oblika u poređenju sa rešenjima na bazi silikona.
P4: Koja su vremena isporuke i minimalne količine narudžbe za GaN na safirnim pločicama?
A4: Vrijeme isporuke i minimalne količine narudžbe variraju u zavisnosti od veličine pločice, debljine GaN i specifičnih zahtjeva kupaca. Molimo kontaktirajte nas direktno za detaljne cijene i dostupnost na osnovu vaših specifikacija.
P5: Mogu li dobiti prilagođenu debljinu sloja GaN ili nivoe dopinga?
A5: Da, nudimo prilagođavanje debljine GaN i nivoa dopinga kako bismo zadovoljili specifične potrebe primjene. Recite nam vaše željene specifikacije, a mi ćemo ponuditi prilagođeno rješenje.
Detaljan dijagram
