Galijum nitrid (GaN) epitaksijalni uzgojen na safirnim pločicama od 4 inča i 6 inča za MEMS
Svojstva GaN na safirnim pločicama
●Visoka efikasnost:Uređaji bazirani na GaN-u pružaju pet puta više snage od uređaja baziranih na siliciju, poboljšavajući performanse u raznim elektronskim primjenama, uključujući RF pojačanje i optoelektroniku.
●Široki energetski razmak:Široki energetski procjep GaN-a omogućava visoku efikasnost na povišenim temperaturama, što ga čini idealnim za primjene velike snage i visoke frekvencije.
●Trajnost:Sposobnost GaN-a da podnese ekstremne uslove (visoke temperature i zračenje) osigurava dugotrajne performanse u teškim okruženjima.
●Mala veličina:GaN omogućava proizvodnju kompaktnijih i lakših uređaja u poređenju s tradicionalnim poluprovodničkim materijalima, olakšavajući proizvodnju manje i snažnije elektronike.
Sažetak
Galijum nitrid (GaN) se pojavljuje kao poluprovodnik izbora za napredne primjene koje zahtijevaju veliku snagu i efikasnost, kao što su RF prednji moduli, brzi komunikacijski sistemi i LED rasvjeta. GaN epitaksijalne pločice, kada se uzgajaju na safirnim podlogama, nude kombinaciju visoke toplotne provodljivosti, visokog probojnog napona i širokog frekvencijskog odziva, što je ključno za optimalne performanse u bežičnim komunikacijskim uređajima, radarima i ometačima. Ove pločice su dostupne u prečniku od 4 i 6 inča, sa različitim debljinama GaN-a kako bi se zadovoljili različiti tehnički zahtjevi. Jedinstvena svojstva GaN-a čine ga glavnim kandidatom za budućnost energetske elektronike.
Parametri proizvoda
| Karakteristika proizvoda | Specifikacija |
| Prečnik pločice | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Podloga | Safir |
| Debljina sloja GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN tip/dopiranje | N-tip (P-tip dostupan na zahtjev) |
| Orijentacija GaN kristala | <0001> |
| Vrsta poliranja | Polirano s jedne strane (SSP), polirano s obje strane (DSP) |
| Debljina Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Ukupna varijacija debljine) | ≤ 10 μm |
| Luk | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Površina | Korisna površina > 90% |
Pitanja i odgovori
P1: Koje su ključne prednosti korištenja GaN-a u odnosu na tradicionalne poluprovodnike na bazi silicija?
A1GaN nudi nekoliko značajnih prednosti u odnosu na silicijum, uključujući širi energetski procjep, što mu omogućava da podnese veće probojne napone i efikasan rad na višim temperaturama. Ovo čini GaN idealnim za visokonaponske i visokofrekventne primjene poput RF modula, pojačala snage i LED dioda. Sposobnost GaN-a da podnese veće gustine snage također omogućava manje i efikasnije uređaje u poređenju sa alternativama na bazi silicija.
P2: Može li se GaN na safirnim pločicama koristiti u MEMS (mikro-elektromehaničkim sistemima) primjenama?
A2Da, GaN na safirnim pločicama je pogodan za MEMS primjene, posebno tamo gdje je potrebna velika snaga, temperaturna stabilnost i nizak šum. Izdržljivost i efikasnost materijala u visokofrekventnim okruženjima čine ga idealnim za MEMS uređaje koji se koriste u bežičnoj komunikaciji, senzorskim i radarskim sistemima.
P3: Koje su potencijalne primjene GaN-a u bežičnoj komunikaciji?
A3GaN se široko koristi u RF front-end modulima za bežičnu komunikaciju, uključujući 5G infrastrukturu, radarske sisteme i ometače. Njegova visoka gustina snage i toplotna provodljivost čine ga savršenim za uređaje velike snage i visoke frekvencije, omogućavajući bolje performanse i manje dimenzije u poređenju sa rješenjima na bazi silicija.
P4: Koji su rokovi isporuke i minimalne količine narudžbe za GaN na safirnim pločicama?
A4Rokovi isporuke i minimalne količine narudžbe variraju u zavisnosti od veličine pločice, debljine GaN i specifičnih zahtjeva kupca. Molimo kontaktirajte nas direktno za detaljne cijene i dostupnost na osnovu vaših specifikacija.
P5: Mogu li dobiti prilagođenu debljinu sloja GaN ili nivoe dopiranja?
A5Da, nudimo prilagođavanje debljine GaN-a i nivoa dopiranja kako bismo zadovoljili specifične potrebe primjene. Molimo vas da nam javite vaše željene specifikacije i mi ćemo vam pružiti prilagođeno rješenje.
Detaljan dijagram
