GaAs laser epitaksijalna pločica 4 inča 6 inča VCSEL vertikalna šupljina površinska emisija lasera talasna dužina 940nm jedan spoj

GaAs laser epitaksijalna pločica 4 inča 6 inča VCSEL vertikalna šupljina površinska emisija laser talasna dužina 940nm jednostruka spojnica Istaknuta slika

Kratak opis:

Dizajn koji je odredio kupac Gigabitni Ethernet laserski nizovi za visoke uniformnosti 6-inčne pločice 850/940nm centralne optičke talasne dužine ograničene ili implantirane VCSEL digitalnom vezom podataka VCSEL komunikacija, laserski miš, električne i optičke karakteristike niska osjetljivost na temperaturu. VCSEL-940 Single Junction je vertikalni laser koji emituje površinu šupljine (VCSEL) sa talasnom dužinom emisije tipično oko 940 nanometara. Takvi laseri se obično sastoje od jedne kvantne bušotine i sposobni su da obezbede efikasnu emisiju svetlosti. Talasna dužina od 940 nanometara čini ga u infracrvenom spektru, pogodnim za razne primjene. U poređenju sa drugim tipovima lasera, VCsels imaju veću efikasnost elektro-optičke konverzije. VCSEL paket je relativno mali i lak za integraciju. Široka primjena VCSEL-940 je učinila da igra važnu ulogu u modernoj tehnologiji.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Glavne karakteristike GaAs laserske epitaksijalne ploče uključuju

1. Struktura sa jednim spojem: Ovaj laser se obično sastoji od jedne kvantne bušotine, koja može pružiti efikasnu emisiju svjetlosti.
2. Talasna dužina: Talasna dužina od 940 nm čini ga u opsegu infracrvenog spektra, pogodnim za različite primjene.
3. Visoka efikasnost: U poređenju sa drugim vrstama lasera, VCSEL ima visoku elektro-optičku efikasnost konverzije.
4. Kompaktnost: VCSEL paket je relativno mali i lak za integraciju.

5. Niska struja praga i visoka efikasnost: Ukopani laseri sa heterostrukturom pokazuju ekstremno nisku gustinu struje praga laserskog zračenja (npr. 4mA/cm²) i visoku eksternu diferencijalnu kvantnu efikasnost (npr. 36%), sa linearnom izlaznom snagom koja prelazi 15mW.
6. Stabilnost talasovodnog režima: Laser sa ukopanom heterostrukturom ima prednost stabilnosti talasovodnog moda zbog svog mehanizma talasovoda vođenog indeksom prelamanja i uske aktivne širine trake (oko 2 μm).
7. Odlična efikasnost fotoelektrične konverzije: Optimizacijom procesa epitaksijalnog rasta, može se postići visoka interna kvantna efikasnost i efikasnost fotoelektrične konverzije kako bi se smanjili unutrašnji gubici.
8. Visoka pouzdanost i životni vijek: visokokvalitetna epitaksijalna tehnologija rasta može pripremiti epitaksijalne listove s dobrim izgledom površine i malom gustinom defekata, poboljšavajući pouzdanost i vijek trajanja proizvoda.
9. Pogodan za razne primjene: epitaksijalni sloj na bazi laserske diode na bazi GAAS-a se široko koristi u komunikaciji optičkim vlaknima, industrijskim aplikacijama, infracrvenim i fotodetektorima i drugim poljima.

Glavni načini primjene GaAs laserske epitaksijalne ploče uključuju

1. Optička komunikacija i komunikacija podataka: GaAs epitaksijalne pločice se široko koriste u području optičke komunikacije, posebno u optičkim komunikacionim sistemima velike brzine, za proizvodnju optoelektronskih uređaja kao što su laseri i detektori.

2. Industrijske primjene: GaAs laserski epitaksijalni listovi također imaju važnu upotrebu u industrijskim aplikacijama, kao što su laserska obrada, mjerenje i sensing.

3. Potrošačka elektronika: U potrošačkoj elektronici, GaAs epitaksijalne pločice se koriste za proizvodnju VCsel-a (lasera koji emituju površinu vertikalne šupljine), koji se široko koriste u pametnim telefonima i drugoj potrošačkoj elektronici.

4. Rf primjene: GaAs materijali imaju značajne prednosti u RF polju i koriste se za proizvodnju RF uređaja visokih performansi.

5. Laseri kvantnih tačaka: Laseri kvantnih tačaka bazirani na GAAS-u se široko koriste u komunikacijskim, medicinskim i vojnim poljima, posebno u optičkom komunikacijskom opsegu od 1,31 µm.

6. Pasivni Q prekidač: GaAs apsorber se koristi za solid state lasere sa diodnom pumpom sa pasivnim Q prekidačem, koji je pogodan za mikro-mašinsku obradu, raspon i mikrohirurgiju.

Ove aplikacije demonstriraju potencijal GaAs laserskih epitaksijalnih pločica u širokom spektru visokotehnoloških aplikacija.

XKH nudi GaAs epitaksijalne pločice različite strukture i debljine prilagođene zahtjevima kupaca, pokrivajući širok spektar primjena kao što su VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bazne stanice, itd. XKH proizvodi se proizvode korištenjem napredne MOCVD opreme kako bi se osigurale visoke performanse i pouzdanost. Što se tiče logistike, imamo širok spektar međunarodnih kanala izvora, možemo fleksibilno upravljati brojem narudžbi i pružiti usluge s dodanom vrijednošću kao što su prorjeđivanje, segmentacija, itd. Efikasni procesi isporuke osiguravaju isporuku na vrijeme i ispunjavaju zahtjeve kupaca za kvaliteta i rokovi isporuke. Nakon dolaska, kupci mogu dobiti sveobuhvatnu tehničku podršku i postprodajnu uslugu kako bi se osiguralo da se proizvod nesmetano pušta u upotrebu.