6inch SiC Epitaxiy wafer N/P tip prihvata prilagođeno
Proces pripreme epitaksijalne pločice od silicijum karbida je metoda koja koristi tehnologiju hemijskog taloženja parom (CVD).Slijede relevantni tehnički principi i koraci pripremnog procesa:
Tehnički princip:
Hemijsko taloženje pare: Koristeći gas sirovine u gasnoj fazi, pod specifičnim reakcionim uslovima, on se razlaže i taloži na podlogu da bi se formirao željeni tanki film.
Reakcija u gasnoj fazi: Kroz reakciju pirolize ili krekiranja, različiti sirovi gasovi u gasnoj fazi se hemijski menjaju u reakcionoj komori.
Koraci pripremnog procesa:
Obrada podloge: Podloga se podvrgava površinskom čišćenju i prethodnoj obradi kako bi se osigurala kvaliteta i kristalnost epitaksijalne pločice.
Otklanjanje grešaka u reakcionoj komori: podesite temperaturu, pritisak i brzinu protoka reakcione komore i druge parametre kako biste osigurali stabilnost i kontrolu uslova reakcije.
Snabdevanje sirovinama: snabdevanje potrebnim gasnim sirovinama u reakcionu komoru, mešanje i kontrola protoka po potrebi.
Reakcioni proces: Zagrevanjem reakcione komore, gasovita sirovina prolazi kroz hemijsku reakciju u komori da bi se dobio željeni depozit, tj. film silicijum karbida.
Hlađenje i pražnjenje: Na kraju reakcije, temperatura se postepeno snižava kako bi se ohladile i učvrstile naslage u reakcionoj komori.
Epitaksijalno žarenje i naknadna obrada: deponovana epitaksijalna pločica se žari i naknadno obrađuje kako bi se poboljšala njena električna i optička svojstva.
Specifični koraci i uslovi procesa pripreme epitaksijalne pločice od silicijum karbida mogu varirati u zavisnosti od specifične opreme i zahteva.Gore navedeno je samo opći tok i princip procesa, specifičnu operaciju treba prilagoditi i optimizirati prema stvarnoj situaciji.
Detaljan dijagram
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)