2 inča podloga od silicijum karbida 6H-N dvostrano polirana prečnik 50,8 mm proizvodna klasa za istraživanje

2 inča podloga od silicijum karbida 6H-N dvostrano polirana prečnika 50,8 mm proizvodna klasa za istraživanje Istaknuta slika

Kratak opis:

Silicijum karbid (SiC), takođe poznat kao karborund, je poluprovodnik koji sadrži silicijum i ugljenik sa hemijskom formulom SiC. SiC se koristi u poluvodičkim elektronskim uređajima koji rade na visokim temperaturama ili visokim naponima, ili oboje. SiC je također jedna od važnih LED komponenti, popularan je supstrat za uzgoj GaN uređaja, a služi i kao raspršivač topline u visoko LED diode za napajanje.
Silicijum karbidne pločice su materijal visokih performansi koji se koristi u proizvodnji elektronskih uređaja. Izrađen je od sloja silicijum karbida u kupoli od silikonskog kristala i dostupan je u različitim razredima, tipovima i završnim obradama. Oblatne imaju ravnost Lambda/10, što osigurava najviši kvalitet i performanse za elektronske uređaje napravljene od vafla. Silicijum karbidne pločice su idealne za upotrebu u energetskoj elektronici, LED tehnologiji i naprednim senzorima. Isporučujemo visokokvalitetne pločice od silicijum karbida (sic) za industriju elektronike i fotonike.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Sljedeće su karakteristike 2-inčne pločice od silicijum karbida:

1. Bolja otpornost na zračenje: SIC pločice imaju veću otpornost na zračenje, što ih čini pogodnim za upotrebu u okruženjima radijacije. Primjeri uključuju svemirske letjelice i nuklearna postrojenja.

2. Veća tvrdoća: SIC oblatne su tvrđe od silikona, što povećava izdržljivost vafla tokom obrade.

3. Niža dielektrična konstanta: Dielektrična konstanta SIC pločica je niža od one kod silicijuma, što pomaže da se smanji parazitski kapacitet u uređaju i poboljša performanse visoke frekvencije.

4. Veća brzina zasićenog drifta elektrona: SIC pločice imaju veću brzinu drifta zasićenih elektrona od silicijuma, dajući SIC uređajima prednost u visokofrekventnim aplikacijama.

5. Veća gustina snage: Sa gore navedenim karakteristikama, SIC wafer uređaji mogu postići veću izlaznu snagu u manjoj veličini.

2-inčna pločica od silicijum karbida ima nekoliko primena.
1. Energetska elektronika: SiC pločice se široko koriste u energetskoj elektronskoj opremi kao što su energetski pretvarači, invertori i visokonaponski prekidači zbog visokog napona proboja i niskih karakteristika gubitka energije.

2. Električna vozila: Silicijum karbidne pločice se koriste u energetskoj elektronici električnih vozila za poboljšanje efikasnosti i smanjenje težine, što rezultira bržim punjenjem i dužim dometom vožnje.

3. Obnovljiva energija: Silicijum karbidne pločice igraju vitalnu ulogu u aplikacijama obnovljive energije kao što su solarni inverteri i sistemi za energiju vetra, poboljšavajući efikasnost i pouzdanost konverzije energije.

4. Vazduhoplovstvo i odbrana: SiC pločice su neophodne u vazduhoplovnoj i odbrambenoj industriji za aplikacije otporne na visoke temperature, veliku snagu i radijaciju, uključujući sisteme za napajanje aviona i radarske sisteme.

ZMSH pruža usluge prilagođavanja proizvoda za naše pločice od silicijum karbida. Naše pločice su napravljene od visokokvalitetnih slojeva silicijum karbida koji potiču iz Kine kako bi se osigurala izdržljivost i pouzdanost. Kupci mogu birati između našeg izbora veličina i specifikacija vafla kako bi zadovoljili svoje specifične potrebe.

Naše Silicon Carbide wafers dolaze u različitim modelima i veličinama, model je Silicon Carbide.

Nudimo niz površinskih tretmana uključujući jednostrano/dvostrano poliranje sa hrapavostom površine ≤1,2nm i ravnošću Lambda/10. Također nudimo opcije visoke/niske otpornosti koje se mogu prilagoditi vašim zahtjevima. Naš EPD od ≤1E10/cm2 osigurava da naše napolitanke ispunjavaju najviše industrijske standarde.

Tičemo se svakog detalja pakovanja, čišćenja, antistatike, šok tretmana. Prema količini i obliku proizvoda, mi ćemo uzeti drugačiji proces pakiranja! Gotovo po jednostrukim wafer kasetama ili kasetama od 25 kom u prostoriji za čišćenje 100 razreda.