2 inčne pločice od silicijum karbida 6H ili 4H N-tipa ili poluizolacione SiC podloge

4H SiC pločica N-tip
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: van ose 4.0˚ prema <1120> ± 0.5˚
Otpornost: < 0,1 ohm.cm
Hrapavost: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optičko poliranje Ra <1 nm

4H SiC pločica Poluizolaciona
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: na osi {0001} ± 0,25˚
Otpornost: >1E5 ohm.cm
Hrapavost: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optičko poliranje Ra <1 nm

1. 5G infrastruktura -- komunikaciono napajanje.
Komunikaciono napajanje je energetska baza za komunikaciju servera i bazne stanice. Obezbeđuje električnu energiju za raznu opremu za prenos kako bi se obezbedio normalan rad komunikacionog sistema.

2. Punjenje gomile novih energetskih vozila -- energetski modul gomile za punjenje.
Visoka efikasnost i velika snaga energetskog modula gomile za punjenje mogu se ostvariti korištenjem silicijum karbida u modulu napajanja gomile za punjenje, kako bi se poboljšala brzina punjenja i smanjili troškovi punjenja.

3. Veliki data centar, industrijski Internet -- napajanje servera.
Napajanje servera je biblioteka energije servera. Server obezbeđuje napajanje kako bi se osigurao normalan rad serverskog sistema. Upotreba komponenti za napajanje od silicijum karbida u napajanju servera može poboljšati gustinu snage i efikasnost napajanja servera, smanjiti volumen podatkovnog centra u cjelini, smanjiti ukupne troškove izgradnje podatkovnog centra i postići veću okolinu. efikasnost.

4. Uhv - Primjena fleksibilnih prijenosnih DC prekidača.

5. Međugradska željeznica velike brzine i međugradski željeznički tranzit -- vučni pretvarači, energetski elektronski transformatori, pomoćni pretvarači, pomoćna napajanja.