2-inčne pločice od silicijum karbida 6H ili 4H N-tipa ili poluizolacijske SiC podloge

Kratak opis:

Silicijum karbid (Tankeblue SiC pločice), također poznat kao karborund, je poluprovodnik koji sadrži silicijum i ugljik sa hemijskom formulom SiC. SiC se koristi u poluprovodničkim elektronskim uređajima koji rade na visokim temperaturama ili visokim naponima, ili oboje. SiC je također jedna od važnih LED komponenti, popularna je podloga za uzgoj GaN uređaja, a služi i kao rasipnik toplote u LED diodama velike snage.


Detalji proizvoda

Oznake proizvoda

Preporučeni proizvodi

4H SiC pločica N-tipa
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: van ose 4,0˚ prema <1120> ± 0,5˚
Otpornost: < 0,1 ohm·cm
Hrapavost: Si-ploha CMP Ra <0,5 nm, C-ploha optičko poliranje Ra <1 nm

4H SiC pločica, poluizolacijska
Prečnik: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: na osi {0001} ± 0,25˚
Otpornost: >1E5 ohm·cm
Hrapavost: Si-ploha CMP Ra <0,5 nm, C-ploha optičko poliranje Ra <1 nm

1. 5G infrastruktura -- napajanje za komunikaciju.
Komunikacijsko napajanje je energetska baza za komunikaciju servera i baznih stanica. Obezbjeđuje električnu energiju za različitu opremu za prijenos kako bi se osigurao normalan rad komunikacijskog sistema.

2. Punjač za nova energetska vozila -- modul za napajanje punjenja.
Visoka efikasnost i velika snaga modula za punjenje mogu se postići korištenjem silicijum karbida u modulu za punjenje, kako bi se poboljšala brzina punjenja i smanjili troškovi punjenja.

3. Veliki podatkovni centar, industrijski internet -- napajanje servera.
Napajanje servera je energetska biblioteka servera. Server obezbjeđuje napajanje kako bi se osigurao normalan rad serverskog sistema. Upotreba silicijum-karbidnih komponenti za napajanje u napajanju servera može poboljšati gustinu snage i efikasnost napajanja servera, smanjiti zapreminu data centra u cjelini, smanjiti ukupne troškove izgradnje data centra i postići veću ekološku efikasnost.

4. Uhv - Primjena fleksibilnih prijenosnih DC prekidača.

5. Međugradska brza željeznica i međugradski željeznički tranzit -- vučni pretvarači, energetski elektronički transformatori, pomoćni pretvarači, pomoćni izvori napajanja.

Parametar

Nekretnine jedinica Silicijum SiC GaN
Širina zabranjenog pojasa eV 1.12 3.26 3.41
Polje za analizu MV/cm 0,23 2.2 3.3
Mobilnost elektrona cm^2/Vs 1400 950 1500
Brzina drifta 10^7 cm/s 1 2.7 2,5
Toplinska provodljivost W/cmK 1,5 3.8 1.3

Detaljan dijagram

2-inčne silicijum-karbidne pločice 6H ili 4H N-tip4
2-inčne silicijum-karbidne pločice 6H ili 4H N-tip5
2-inčne silicijum-karbidne pločice 6H ili 4H N-tip6
2-inčne silicijum-karbidne pločice 6H ili 4H N-tip7

  • Prethodno:
  • Sljedeće:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je