Epitaksijalni sloj
-
200 mm 8-inčni GaN na safirnoj epi-slojnoj podlozi pločice
-
GaN na staklu od 4 inča: Prilagodljive opcije stakla, uključujući JGS1, JGS2, BF33 i obični kvarc
-
AlN-na-NPSS pločici: Visokoperformansni sloj aluminijum nitrida na nepoliranoj safirnoj podlozi za visokotemperaturne, visokoenergetske i RF primjene
-
Prilagođene GaN-na-SiC epitaksijalne pločice (100 mm, 150 mm) – Više opcija SiC supstrata (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-na-dijamantskim pločicama 4 inča 6 inča Ukupna debljina epi (mikrona) 0,6 ~ 2,5 ili prilagođeno za visokofrekventne primjene
-
GaAs epitaksijalna podloga od galij arsenidnih pločica velike snage, laserska valna dužina 905 nm za laserski medicinski tretman
-
InGaAs epitaksijalna podloga za pločice PD Array fotodetektorski nizovi mogu se koristiti za LiDAR
-
APD detektor svjetlosti od 2 inča, 3 inča i 4 inča, za epitaksijalnu podlogu InP pločice za komunikaciju optičkim vlaknima ili LiDAR
-
Troslojna SOI pločica silicija na izolatoru za mikroelektroniku i radiofrekvenciju
-
SOI izolator na silicijumskim SOI (Silikon na izolatoru) pločicama od 8 i 6 inča
-
6-inčna SiC epitaksijalna pločica N/P tipa prihvata prilagođene
-
4-inčna SiC Epi pločica za MOS ili SBD